锗PIN光电二极管的带隙能量为Wg=0.67eV,用焦耳表示的锗的带隙能量，暗电流为100nA时，响应度为0.7A/W，需要多大光功率产生的光电流才能与检测器的暗电流相等?
锗PIN光电二极管的带隙能量为Wg=0.67eV,用焦耳表示的锗的带隙能量，暗电流为100nA时，响应度为0.7A/W，需要多大光功率产生的光电流才能与检测器的暗电流相等?
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